Archive for febrero, 2011

Podrían detectarse indicios de materia oscura en los próximos 3 años

miércoles, febrero 23rd, 2011

El CSIC publica hoy una nota de prensa en la que presentan el resultado de un trabajo publicado en Astrophysical Journal Letters, simulando la distribución hipotética de la materia oscura en una porción del universo de hasta 360 millones de años luz de distancia.

De la nota de prensa:

Según las observaciones, el 23% del universo está compuesto por materia oscura. Aunque no puede ser detectada de forma directa, es posible inferir su presencia gracias a sus efectos sobre la materia visible. Según un estudio en el que participa el Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC), el telescopio espacial Fermi podría ser capaz de detectar indicios de esta materia durante los próximos tres años.

En total, la simulación está representada por más de 1.000 millones de partículas. Según uno de los responsables del trabajo, el investigador del CSIC Fabio Zandanel, «aunque se han desarrollado muchos modelos de distribución de la materia oscura en el universo, el utilizado en esta investigación es uno de los que más se adecúan a las observaciones».

Una vez seleccionado el mapa, el equipo ha determinado que, a lo largo de tres años más de operaciones, Fermi será capaz de detectar la radiación gamma emitida por la desintegración de las partículas de materia oscura, según ciertos modelos teóricos. Aunque el universo contiene muchas fuentes distintas de rayos gamma, «la procedente de la desintegración de estas partículas presentaría unas características que hacen posible distinguirla del resto», explica Zandanel.

«El hallazgo de materia oscura lo cambiaría todo, será como poner la última pieza de un rompecabezas que no consigues completar», asegura el investigador del CSIC. Según Zandanel, si Fermi no detecta materia oscura en los próximos años, será necesario trabajar con otros modelos teóricos de física de partículas. No obstante, hay determinadas regiones del universo donde hay más probabilidades de detectar estas partículas. Se trata de aquellas zonas donde la concentración de materia es mayor, por ejemplo «en los grandes cúmulos de galaxias, como los de Virgo y Coma», concluye Zandanel.

Figura 1 Simulación de la distribución de materia oscura (imagen de la nota de prensa)

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El futuro sustituto del silicio: ¿Grafeno o Molibdenita?

miércoles, febrero 9th, 2011

En un artículo publicado en la revista Nature Nanotechnology, científicos de la Escuela Politécnica Federal de Lausana presentan los resultados sobre la posibilidad de usar Molibdenita (MoS2) como alternativa al Silicio en la fabricación de transistores. La Molibdenita es un material plano (de dos dimensiones), dispuesto como se muestra en la figura, que además es muy fino y por tanto es un buen candidato para nanotecnología.

 

Figura 1 Estructura de la Molibdenita (Wikipedia)

Esta estructura presenta una serie de ventajas sobre el Silicio y el Grafeno (estructura en la Figura 2) para la construcción de componentes electrónicos como transistores, diodos LED y células solares. En primer lugar, es mucho menos voluminosa que el Silicio, al ser éste un material tridimensional (no se dispone en una estructura plana). Una lámina de 0,65 nanómetros de Molibdenita permite una movilidad de portadores semejante a una lámina de 2 nanómetros de Silicio, si bien no es posible construir una lámina de Silicio tan delgada como una lámina de una sola capa de Molibdenita.

El Grafeno, además, puede emplearse para fabricar transistores que consumen 100 000 veces menos energía en inactividad que los transistores fabricados con Silicio. La banda de 1,8 voltios de la Molibdenita también la hace adecuada para construir dispositivos de conmutación, como los transistores. Se trata por otro lado de un mineral muy abundante en la naturaleza. Suele emplearse en las aleaciones de acero o en lubricantes. Sin embargo, aún no se había estudiado para su uso en electrónica.

Figura 2 Estructura molecular del Grafeno (Wikipedia)

Esta es la principal ventaja que posee sobre el Grafeno, ya que éste carece de banda prohibida (band gap en inglés), la responsable de que los semiconductores se comporten como tales. El Grafeno no es, por tanto, un semiconductor, sino un «semi metal». Es posible generar esta banda prohibida en el Grafeno, pero requiere aumentar la complejidad de la fabricación y reduce la movilidad de los portadores a los niveles del Silicio, o bien necesita tensiones elevadas.

Figura 3 Transistor de efecto de campo con canal de Molibdenita

Sin embargo, como mencionan en el resumen del artículo, no se trata necesariamente de elegir entre Grafeno o Molibdenita, ya que ambos pueden combinarse para construir dispositivos que requieran semiconductores delgados y transparentes, como en optoelectrónica y en generación de energía.

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Encuentra el trabajo ingenieril de tus sueños

lunes, febrero 7th, 2011

Han publicado hoy en IEEE Spectrum un test para encontrar los trabajos relacionados con la ingeniería que más se asemejan a tu forma de ser. Con 17 preguntas presentan los «trabajos soñados» de 2010 y 2011.

Claramente un just for fun 🙂

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Presentación de Android 3.0 Honeycomb

miércoles, febrero 2nd, 2011

Hace unos días, los desarrolladores de Android presentaban una previa del SDK de Android 3.0 y hoy miércoles se presenta en sociedad la última versión de Android 3.0 Honeycomb, que viene con soporte para tablets.

En Androidsis han hecho un resumen de las novedades que tiene Honeycomb. Incluye, entre otras cosas, Google Maps 5 para Android, con visualización en 3D y posibilidad de usarlo offline.

Relacionada: CyanogenMod 6: Android 2.2 Froyo en HTC Hero desde Android 2.1.

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